在数字化转型浪潮的德州电源推进下 ，为了完成更快的仪器数据处理、大数据存储以及。长城U产人工智能 。深化(。协作AI 。起研) ，制服服务器的德州电源需求呈指数级增加 ，对 。仪器电源 。长城U产在功率和功率密度方面的深化技能要求也逐步进步 。德州仪器 。协作( 。起研TI。制服)。德州电源与 。长城电源 (Greatwall) 。凭仗各安闲。半导体 。技能和电源范畴的深沉技能堆集 ，一起研制服务器 PSU 产品 ，为电源处理计划供给多元化的挑选。
长城电源自成立以来 ，一向致力于 。开关电源 。范畴的研制 、出产与出售 ，具有多年的电源开发规划及出产经历 ，产品涵盖了服务器电源 、台式机电源 、 。通讯 。电源 、工业电源 、砖块电源、OBC 电源 、医疗电源等 。
从小型 。模仿 。器材到 。数字电源 。 ，TI 与长城电源的协作不断深化 ，逐步建立起更为严密和深化的技能协作关系 ，继续深耕电源范畴 。
TI 产品助力客户进一步开释电源潜力。
人工 。智能 。和智能驾驭等新式范畴的快速展开对核算才能提出了更高的需求 ，其背面所需的海量数据处理与运算促进数据 。中心 。的建造规划继续不断扩大，也对服务器电源体系提出更高功用规范 。作为数据中心供电体系的中心 ，服务器电源的重要性日益凸显，规划面临着史无前例的应战与机会 。
其间，完成高频化是缩小无源器材尺度 、提高功率密度的要害途径 。但是 ，高频运转也会带来更高的开关损耗，然后影响体系功率 。为处理这一问题 ，通过。临界形式 (TCM)。完成软。开关操控 。 ，能够明显下降开关损耗，是提高体系功率的要害技能之一 。
TI 的 GaN 产品内置驱动 ，极大地简化了高频化规划过程中对寄生电感等参数的调整难度 。其间 ，LMG3427R030 。集成了零 。电流检测 。(ZCD) 功用 ，当检测到漏极到源极的正向。电流 。时 ，ZCD 引脚会输出脉冲。信号 。，有助于在电流过零时进行高效开关 、提高功率 。此外，TI 产品的 ZCD 功用相同能够为客户完成 TCM 。 PFC 。规划供给有力支撑 。比较于外部检测计划，不只削减了体系的复杂度 ，也能够明显增强 ZCD 检测的抗干扰性。
根据 TI ZCD GaN 的两相交织 TCM PFC 参阅计划 (PMP23475)，可完成 PFC 级高达 99.2% 的功率 ，协助客户完成整机功率优化 。一起，比较于外部检测计划 ，集成 ZCD 功用削减了体系的复杂度，明显增强 ZCD 检测的抗干扰性 ，一起协助客户优化 ，下降体系全体 BOM 的本钱，开发更具有本钱竞争力的计划 。
根据对市场趋势与技能晋级的深入洞悉 ，长城电源挑选与 TI 展开深度技能协作 。TI 丰厚的。电源办理 。产品和 GaN 技能助力客户在规划和出产中进一步开释技能潜力。
不同于传统的外部 ZC 检测电路，TI 与长城电源一起界说了集成在。LMG3427。中的 ZCD 新特性，助力立异的 ZCD GaN 通过集成零电流检测功用完成逐周期操控 ，并运用该特性完成 TCM 操控 ，进一步提高体系功率和牢靠性 ，优化体系规划 ，为下一代 AI 服务器电源规划供给更优的处理计划。
LMG3427R030: 更高效更牢靠 。
TI 的 。LMG3427R030 。是一款具有集成 。驱动器 。 、维护和零电压检测功用的 600V 30mΩ GaN FET 。该款器材的集成驱动器可保证器材在漏极压摆率时坚持关断状况 ，然后带来强壮的维护功用 ，包含呼应时刻小于 100ns 的逐周期过流与所存短路维护功用以及针对内部过热和 UVLO 监控的自我维护功用，硬开关时可接受 720V 浪涌 ，助力完成对反常电流的快速检测和牢靠防护。
该款器材具有高档电源办理特性 ，供给数字温度 PWM 输出 ，并助力完成软开关 。转换器 。的 ZCD 和 ZVD 功用 ，可在检测到。零电压开关 (ZVS) 。时在 ZVD 引脚输出脉冲信号 ，在检测到正漏源电流时供给来自 ZCD 引脚的脉冲输出 。LMG3427R030 。适用于开关形式电源转换器 ，能够让规划人员完成更高水平的功率密度与功率 。
运用 TI GaN 技能进行功耗更低、 。
尺度更小 、更快更炫酷的规划。
LMG3427R030 。是 TI 的高功用功率 GaN 器材 。GaN 器材能够供给零反向恢复和超低输出 。电容 。 ，可在根据桥的拓扑中取得高功率 。直接驱动架构适用于通过集成式 。栅极驱动 。器直接操控 GaN 器材 。相较传统的级联办法，该架构具有更为超卓的开关功用，有助于处理 GaN 使用中的一系列难题。除此之外 ，长城电源还通过其 ZCD 功用完成 TCM PFC 操控 ，然后简化体系规划 ，助力体系总功率到达 97.5% 。
作为一款宽带隙半导体，与传统的硅金属氧化物半导体场效应 。晶体管 。(。MOSFET 。) 和绝缘栅双极晶体管 ( 。IGBT。) 比较 ，GaN 能够完成更高的功率密度和功率，更有效地进行电量处理 。 ，将功率转换器的功率损耗下降 80% ，并在更大程度上削减对增加冷却器材的需求 。通过将更多的电量存储在更小的空间内 ，GaN 能够协助。工程师 。规划出更小更轻的体系 。
TI GaN 技能广泛使用于电信和服务器电源 ，太阳能体系和储能体系 ，以及轿车 、OBC 和直流/直流转换器中，并具有以下优势 ：
开关速度更快 、功率更高：TI 具有集成驱动器的 GaN FET 可完成 150V/ns 的开关速度 ，与低电感封装相结合 。可下降损耗 、供给洁净的开关功用并更大极限地削减振铃 。
体系尺度更小 、功率密度更高 ：TI 的 GaN 器材具有更快的开关速度 ，可协助规划人员完成超越 500kHz 的更高开关频率 ，然后 。将磁性元件尺度减缩高达 60% 、减小体系尺度并下降体系本钱 。
专为牢靠性而构建 ：TI 的 GaN 器材选用专有的硅基 GaN 工艺且已通过超越 8,000 万小时的牢靠性测验 ，并结合了维护功用 ，然后。更好地保证高电压体系的安全 。
专用规划东西和资源 ：凭借 TI 的 GaN 规划资源可协助规划人员缩短产品面市时刻 。 ，这些资源包含功率损耗核算器 、用于 。电路仿真 。的 PLECS 模型以及用于在更大体系中进行测验和运转的评价板 。
面临服务器 。电源技能 。的蓬勃展开 ，TI 将继续深耕电源范畴 ，探究怎么 。规划出功耗更低 、功率更高 、尺度更小、更安全牢靠的产品和处理计划 ，不断推进功率密度与功率的提高，完成更高效 、更安全的电源规划。
