意法半导体。意法压推出两款。半导半桥高压 。体推GaN半桥栅极 。出两驱动器 。款高 ，栅极为 。驱动器开发者 。意法压带来更高的半导半桥规划灵活性和更多的功用 ，进步方针运用的体推能效和鲁棒性 。
STDRIVEG610和STDRIVEG611两款新产品为。出两电源 。款高转化和 。栅极电机操控 。驱动器规划人员供给两种操控GaN功率器材的意法压挑选 ，能够进步 。消费电子 。和工业运用的能效 、功率密度和鲁棒性。
STDRIVEG610主打那些要求发动时刻300ns等级的 。栅极驱动 。运用 ，发动时刻是LLC或。AC 。F电源转化拓扑的一个要害参数，确保在突发形式下精确操控功率管的关断距离。
STDRIVEG611是针对 。电机 。操控运用中的硬开关进行了优化规划 ，增加高边UVLO欠压维护和过流维护 。智能 。关断等安全功用 。
这两款器材对软硬开关拓扑都适用 ，并内置防备穿插导通的互锁功用 。STDRIVEG610可提高电源适配器 、充电器和 。功率因数。校对( 。PFC。) 电路的功用 ，而STDRIVEG611可节约空间 ，进步能效和可靠性 ，适用于家用电器 、电泵 、压缩机 、工业伺服驱动电机以及工厂自动化驱动设备 。
为了简化规划 ，两款器材都集成了高边自举 。二极管 。 ，以及大。电流。才能且传输推迟小于10ns的6V凹凸边 。线性稳压器 。 。每个驱动器都有独立的吸电流和拉电流途径 ，吸电流为2.4A/1.2Ω，拉电流为1.0A/3.7Ω ，能够完成很好的驱动功用 。
片上集成的UVLO维护功用用于维护凹凸边的600V GaN功率开关管的安全 ，避免器材在低效或风险情况下运转。此外 ，两款器材都有过热维护功用 ，dV/dt耐量高达±200V/ns。输入引脚电压扩展到3.3V至20V ，然后简化了 。操控器 。接口 。电路 。两款器材都有待机引脚 ，在非作业期间或突发形式下，能够节约能耗 ，并具有独立的电源地引脚 ，可用于开尔文源驱动或衔接分流。电阻 。 。
STDRIVEG610和STDRIVEG611集成丰厚的功用 ，有助于下降物料清单本钱 ，选用4mmx5mm QFN的紧凑封装 ，节约电路板空间。
两款产品的配套评价板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611现已上市 ，可协助规划人员加速运用开发 。两款评价板均可直接运用 ，集成了600V高速半桥栅极驱动器和意法半导体的两颗SGT120R65AL增强型GaN HEMT功率开关管 。